3D XPoint: la nueva memoria de Intel y Micron es 1.000 veces más rápida que la flash
Enviarán muestras a fabricantes a final de año y esperan tener productos en el mercado con esta tecnología en 2016.
El selector (en naranja) lee o cambia el estado de la celda de memoria (en verde) dependiendo del voltaje que reciba de las dos conexiones. | Intel
Si en marzo Intel y Micron anunciaban una nueva tecnología de memorias Flash a la que denominaron 3D NAND, que permitía acumular varias capas de memoria en un solo chip para aumentar su capacidad, ahora han anunciado un producto aún más revolucionario. Las memorias 3D XPoint son totalmente distintas a las flash y las RAM actuales. De hecho, en el comunicado de ambas empresas se asegura que es la primera categoría nueva de memorias en 25 años, que fue cuando se inventaron las memorias flash.
Las características no pueden ser más apetecibles. Se trata de una memoria no volátil, es decir, que no pierde los datos al dejar de recibir electricidad, al igual que los discos duros y las memorias flash, pero asegura ser 1.000 veces más rápida que estas últimas, lo que le acerca a la velocidad de las memorias RAM, aunque no las alcanza aún. Además, soluciona otro problema de la memoria flash, como es la durabilidad, ya que las flash aguantan un número relativamente reducido de ciclos de escritura: 3D XPoint soportaría 1.000 veces más ciclos de escritura.
En cuanto al tamaño, Intel y Micron aseguran que pueden meter hasta diez veces mayor capacidad que las memorias RAM en el mismo espacio. Aquí no hacen la comparación con las memorias flash, quizá porque sus propias memorias 3D NAND ya tienen más densidad que las flash normales y no van a canibalizar un producto que ya está en el mercado por otro que esperan ofrecer el año que viene.
Para conseguir estas cifras, la memoria 3D XPoint emplea una estructura de rejilla tridimensional que permite acceder a cada celda de memoria individualmente, y que además no necesita tras*istores. Los chips de memoria actuales los necesitan para consultar y cambiar el contenido que albergan, pero esta nueva tecnología emplea un selector más pequeño que hace las mismas funciones dependiendo de los voltajes que se le apliquen.
Intel y Micron no han anunciado precios específicos, aunque afirman que estas nuevas memorias serán asequibles y se situarán en un coste por gigabyte entre medias del precio de las memorias RAM y las flash. Inicialmente serán fabricadas en una instalación conjunta en Utah, pero posteriormente cada compañía tendrá sus propias factorías para producir memorias 3D XPoint, y no tienen planes de licenciar la tecnología a terceros.
Con velocidades ya comparables a las memorias RAM actuales, no es difícil imaginar que las 3D XPoint podrían servir para sustituir tanto a los discos duros y de estado sólido como a las memorias RAM, desdibujando la diferencia entre memoria y almacenamiento en futuros ordenadores y móviles, lo que supondría un cambio de paradigma en la computación.
3D XPoint: la nueva memoria de Intel y Micron es 1.000 veces más rápida que la flash - Libertad Digital
Enviarán muestras a fabricantes a final de año y esperan tener productos en el mercado con esta tecnología en 2016.
El selector (en naranja) lee o cambia el estado de la celda de memoria (en verde) dependiendo del voltaje que reciba de las dos conexiones. | Intel
Si en marzo Intel y Micron anunciaban una nueva tecnología de memorias Flash a la que denominaron 3D NAND, que permitía acumular varias capas de memoria en un solo chip para aumentar su capacidad, ahora han anunciado un producto aún más revolucionario. Las memorias 3D XPoint son totalmente distintas a las flash y las RAM actuales. De hecho, en el comunicado de ambas empresas se asegura que es la primera categoría nueva de memorias en 25 años, que fue cuando se inventaron las memorias flash.
Las características no pueden ser más apetecibles. Se trata de una memoria no volátil, es decir, que no pierde los datos al dejar de recibir electricidad, al igual que los discos duros y las memorias flash, pero asegura ser 1.000 veces más rápida que estas últimas, lo que le acerca a la velocidad de las memorias RAM, aunque no las alcanza aún. Además, soluciona otro problema de la memoria flash, como es la durabilidad, ya que las flash aguantan un número relativamente reducido de ciclos de escritura: 3D XPoint soportaría 1.000 veces más ciclos de escritura.
En cuanto al tamaño, Intel y Micron aseguran que pueden meter hasta diez veces mayor capacidad que las memorias RAM en el mismo espacio. Aquí no hacen la comparación con las memorias flash, quizá porque sus propias memorias 3D NAND ya tienen más densidad que las flash normales y no van a canibalizar un producto que ya está en el mercado por otro que esperan ofrecer el año que viene.
Para conseguir estas cifras, la memoria 3D XPoint emplea una estructura de rejilla tridimensional que permite acceder a cada celda de memoria individualmente, y que además no necesita tras*istores. Los chips de memoria actuales los necesitan para consultar y cambiar el contenido que albergan, pero esta nueva tecnología emplea un selector más pequeño que hace las mismas funciones dependiendo de los voltajes que se le apliquen.
Intel y Micron no han anunciado precios específicos, aunque afirman que estas nuevas memorias serán asequibles y se situarán en un coste por gigabyte entre medias del precio de las memorias RAM y las flash. Inicialmente serán fabricadas en una instalación conjunta en Utah, pero posteriormente cada compañía tendrá sus propias factorías para producir memorias 3D XPoint, y no tienen planes de licenciar la tecnología a terceros.
Con velocidades ya comparables a las memorias RAM actuales, no es difícil imaginar que las 3D XPoint podrían servir para sustituir tanto a los discos duros y de estado sólido como a las memorias RAM, desdibujando la diferencia entre memoria y almacenamiento en futuros ordenadores y móviles, lo que supondría un cambio de paradigma en la computación.
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